研制出新型二维电子器件，突破传统半导体器件的“极限尺寸”；发明一种新型氮化镓基功率开关晶体管，实现世界领先的导通“超低损耗”……5月7日下午，“合肥综合性国家科学中心集成电路先进材料与技术产教研融合研究院”发展战略研讨会在安徽大学举办，研究院的多项成果“亮相”。同时，这场研讨会还吸引了国内相关科研领域的15位院士 “重磅参会”！
当前，国家把发展集成电路产业上升为国家战略，合肥综合性国家科学中心也将集成电路新工艺、新材料、新结构等作为重要研究方向。
在2021年，安徽大学按照“1+1+N”思路，建立集成电路先进材料与技术产教研融合研究院。研究院为全校共享、面向社会开放的产教研融合实体机构，并获安徽省“三重一创”“一事一议”2亿元经费支持，纳入合肥综合性国家科学中心建设。
借助“科学中心”这一国字号平台，研究院也加速汇聚高层次人才，产出更多标志性成果。
例如，研究院成立以来，在第三代半导体氮化镓电力电子及光电子器件方面，发明了一种新型氮化镓基功率开关晶体管，实现世界领先的导通“超低损耗”，完成了成果转让，实现6英寸流片生产，可应用于电动汽车、航天航空等领域。发明了一款新型氮化镓基紫外光探测器件，突破性提升了氮化镓探测器在高温下的紫外光探测能力，响应速度提高了1000倍，可在深地、深空等极端环境下应用。
同时，还推出了一款全氮化镓紫外光探测集成电路芯片，正在推进6英寸流片生产。在基于量子效应的新型电子材料方面，研制出新型二维电子器件，突破传统半导体器件中极限尺寸的限制……
相比于研究院产出的系列成果，这场研讨会上，“高规格”的参会人员也格外引人注意。中国工程院院士、中电集团38所研究员吴剑旗；中国科学院院士、复旦大学芯片与系统前沿技术研究院院长刘明；中国科学院院士、中国科学院半导体研究所所长祝宁华……记者了解到，会场上，通过“线上+线位院士“重磅参会”以及众多集成电路“大咖”专家。
与会专家学者结合学科发展态势和国家战略科技需求，以多元化、前瞻性视野和思考，对合肥综合性国家科学中心集成电路先进材料与技术产教研融合研究院建设方案提出意见和建议。
在他们看来，研究院的建设，将进一步发挥安徽大学作为合肥综合性国家科学中心教学科研区核心成员作用，填补科学中心在集成电路领域布局的空白；同时，也将聚焦重点研究方向，加速汇聚高层次人才，产出更多标志性成果，为新材料、集成电路战新产业发展作出更大贡献。
